必须了解的薄膜电阻技术的3大进步

自从八十多年前首次提供金属化【huà】玻璃和破【pò】裂的碳膜以来，薄膜电【diàn】阻器技术已经走了很长【zhǎng】一【yī】段路，作为替代线绕和【hé】复合材料【liào】的替代方法。金属氧【yǎng】化物是在1950年代出【chū】现的，它是一种【zhǒng】更稳定的【de】膜，并被广泛【fàn】应用，直到将其【qí】研磨【mó】成用【yòng】于精密的金【jīn】属膜【mó】（金属【shǔ】膜【mó】电阻【zǔ】）和用于高功率【lǜ】用途的厚膜（大功率贴片电阻）为止。然后，这两种技术都【dōu】以新兴的【de】SMD芯片【piàn】格式采用【yòng】。这一点在三十多年前就已实现【xiàn】，并在当今【jīn】的薄膜电阻器产【chǎn】品【pǐn】中得【dé】到了很大的【de】体【tǐ】现。但是，认为薄膜电阻器的没有任何变【biàn】化是【shì】错误的。

本【běn】文确定了持续发【fā】展的三个【gè】驱【qū】动因素，并概述了正在做出的【de】一【yī】些响【xiǎng】应。首要的驱动因素是减少环境【jìng】影响，当务【wù】之急【jí】是【shì】通过立法法规和间接的消【xiāo】费者压力。此后，安全操作区域的【de】持续扩展，推回【huí】了限制模【mó】拟电路小型化的电气【qì】额定值极【jí】*。后，通过为太【tài】空和军事应用开发的技术过渡，可以满足在【zài】工业【yè】和工业应用中对【duì】更【gèng】高水平的稳【wěn】定性和可靠性的不断增长的【de】需求。

确定了对环境【jìng】驱动因素的两个【gè】响应。首先是减少【shǎo】了小【xiǎo】型化所【suǒ】反映【yìng】的整体材料使用量【liàng】，其次是消除了【le】有害物质。在厚膜电阻器【qì】领【lǐng】域，这【zhè】可以从【cóng】用于配制膜材料的玻璃中去除【chú】氧化铅中看【kàn】出。考虑在何【hé】种程度【dù】上减少了对相关【guān】RoHS豁【huō】免的持续更新的【de】依赖。

对于【yú】第【dì】二个驱动器，复【fù】查了定【dìng】义电阻器安全工作区域的三个电气额定值。连续额定功率，限制【zhì】元件【jiàn】电压和【hé】脉【mò】冲能量限制。每个都已【yǐ】定义，并【bìng】通过实【shí】际示例介绍了中度【dù】和极【jí】端过载的结果和【hé】故障【zhàng】机理。讨【tǎo】论【lùn】了这三个额定值对电阻元件【jiàn】的材【cái】料，尺寸和【hé】几何形状【zhuàng】的【de】依赖性【xìng】，并参【cān】考了将设【shè】计转【zhuǎn】换为SMD格式并*小化【huà】占位面积的【de】持续【xù】趋势。然后给出【chū】了相对于这些额定【dìng】值的商用厚膜【mó】贴片电阻器的当前状态，并讨【tǎo】论了多组件解决方案及其隐性成本。然后介【jiè】绍现有技术和新技术，从【cóng】而可【kě】以扩展三个等【děng】级。

与稳【wěn】定性【xìng】和【hé】可【kě】靠性有关的终【zhōng】驱动力正在促使氮化钽【tǎn】技【jì】术从其【qí】高【gāo】可靠性起源发展成为精密电阻器应用的主流。将检查与【yǔ】替代材料【liào】有【yǒu】关【guān】的差异以及【jí】高度加速的寿【shòu】命测试所表明的性能优势。

尽管与【yǔ】半导体甚【shèn】至其他【tā】无源元件相比，变化的速度似乎很慢，但薄膜【mó】电【diàn】阻器技术的发展在【zài】21世纪仍在继【jì】续。